Mạch Racetrack là thành quả cao nhất của 7 năm nghiên cứu vật lý tại IBM, có thể giúp chế tạo chip với sức chứa của ổ đĩa cứng, đồng thời có độ bền và hiệu suất của ổ flash.

Hôm thứ Hai 5/12/2011, tại hội nghị của IEEE, IBM thông báo đã sản xuất mạch bộ nhớ Racetrack hoạt động được, có thể giúp chế tạo chip với sức chứa của ổ đĩa cứng mà lại có độ bền và hiệu suất của ổ flash.

Một ngày nào đó, bộ nhớ trạng thái rắn SSM (solid-state memory), ổn định Racetrack có thể thay thế bộ nhớ flash NAND. Bộ nhớ Racetrack sử dụng dòng điện hoặc "dòng xoay chiều" để di chuyển các electron lên/xuống trong dây nano giống dải ruy-băng rộng khoảng 240nm và dày 20nm. Các "dòng xoay chiều" thay đổi trạng thái từ của những vách domain từ tính trong các dây nano từ. Mỗi dây nano đại diện cho một "tế bào" trong đó các electron được lưu trữ.

Chip của IBM bao gồm 256 tế bào Racetrack. IBM đã thử nghiệm cả đọc và viết trên mạch tích hợp, khẳng định tốc độ vào/ra gần bằng tốc độ của DRAM.

Hầu như tất cả thiết bị điện tử ngày nay được chế tạo với mạch kỹ thuật số dựa trên công nghệ CMOS (complementary-symmetry metal oxide semiconductor). Vì vậy IBM cho biết, điều quan trọng là mạch bộ nhớ Racetrack đầu tiên của họ được tích hợp với công nghệ CMOS trên những tấm bán dẫn 200mm.

Theo IBM, bộ nhớ Racetrack có độ bền lớn hơn nhiều so với bộ nhớ flash NAND đang được sử dụng để làm ổ trạng thái rắn (SSD) và thẻ nhớ flash. Thông thường, flash NAND dành cho người tiêu dùng có thể duy trì khoảng 4.000 chu kỳ xóa-ghi, trong khi các thiết bị flash được sử dụng trong trung tâm dữ liệu doanh nghiệp có thể duy trì 50.000 - 100.000 chu kỳ ghi. Một phát ngôn viên của IBM khẳng định, bộ nhớ Racetrack có thể duy trì ghi không giới hạn.

Những công nghệ khác cũng đang thách thức flash NAND bao gồm bộ nhớ graphene và bộ nhớ thay đổi pha PCM (phase-change memory).